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产品展示
产品[KG50A-1200A平板型高频可控硅]的详细资料
放大图片
产品型号:
KG50A-1200A
产品名称:
平板型高频可控硅
产品报价:
产品特点:
KG50A—1200A 平板型高频晶闸管 ● 全扩散工艺 ● 平板型陶瓷管壳封装 ● 分布式扩展放大门极结构,较高的di/dt耐量 ● 优良的动态特性 ● 快速开关特性
平板型高频可控硅
的详细资料:
KG (KA)
系列 高频晶闸管
( High Frequence Thyristor) 晶体管,平板型高频晶闸管,平板型可控硅
特点
典型应用
说明
●
全扩散工艺
●
逆变器
●
V
DSM
/V
RSM
=V
DRM
/V
RRM
+100V
●
螺栓型或平板型陶瓷管壳封装
●
斩波器
●
除非另作说明,I
GT、
V
GT、
I
H
、V
TM
为常温测试值;
●
分布式扩展放大门极结构,较高的di/dt耐量
●
感应加热
表中其他参数皆为在T
jm
=115
o
C
下测试值。
●
优良的动态特性
●
各种类型的强迫换流器
●
I
2
t=I
2
TSM
× tw/2,tw=正弦半波电流底宽,
●
快速开关特性
●
电焊机
在50HZ下
,
I
2
t(10ms)=0.005I
2
TSM
(A
2
S)。
●
优良的高频特性,适用频率
2.5KHZ-20KHZ
KG50A-KG1200A 平板型
(电压等级 800V--1400V)
Type
I
TAV
(A)
V
DRM
/V
RRM
I
DRM
/I
RRM
tq
(100
o
C
)
tgt
fm
I
TSM
V
TM
@I
TM
I
GT
V
GT
I
H
dv/dt
di/dt
di/dt
@
fm
V
T0
r
T
Rjhs
outline
@
T
HS=55
o
C
(V)
(mA)
(us)
(us)
(KHZ)
(KA)
(V)
(A)
(mA)
(V)
(mA)
(V/us)
(A/us)
(A/us)
(V)
(mΩ)
(
o
C
/w)
KG50-19KT19
50
800-1300
15
8-14
2.5
20
0.94
3.2
150
30-200
0.8-1.8
30-300
300
200
200
1.50
1.50
0.110
19KT19
KG200-30KT25aT
200
800-1400
25
8-14
2.5
6-10
2.4
3.2
600
30-200
0.8-1.8
30-300
300
200
200
1.45
1.22
0.055
30KT25aT
KG400-38KT34cT
400
600-1200
30
6-10
3.0
10
5.0
3.2
1200
30-200
0.8-1.8
30-300
300
300
300
1.40
0.55
0.035
38KT34cT
KG500-3
8KT34cT
500
800-1400
30
10-14
3.0
6
3.6
3.2
1500
30-200
0.8-1.8
30-300
300
300
300
1.50
0.68
0.035
38KT34cT
KG600-45KT44cT
600
800-1400
50
8-14
3.0
6-10
7.2
3.2
1800
40-250
1.0-2.0
30-350
400
300
300
1.45
0.48
0.030
45KT44cT
KG800-45KT44cT
800
800-1100
50
8-14
3.0
10
9.6
3.2
2400
40-250
1.0-2.0
30-350
400
300
300
1.41
0.45
0.030
45KT44cT
KG800-50KT47cT
800
1200-1400
70
12-16
3.0
8
9.6
3.2
2400
40-250
1.0-2.0
30-400
400
350
350
1.65
0.36
0.024
50KT47cT
KG1000-50KT47cT
1000
800-1100
70
8-14
3.0
8
12
3.2
3000
40-250
1.2-2.5
30-400
400
350
350
1.32
0.32
0.024
50KT47cT
KG1000-55KT54cT
1000
1200-1400
80
12-16
3.0
6
12
3.2
3000
40-250
1.2-2.5
30-400
400
350
350
1.63
0.25
0.022
55KT54cT
KG1200-55KT54cT
1200
800-1100
80
8-14
3.0
8
14
3.2
3000
40-250
1.2-2.5
30-400
400
350
350
1.27
0.23
0.022
55KT54cT
参数符号说明
di/dt
通态电流临界上升率
dv/dt
断态电压临界上升率
fm
适用最高频率
I
2
t
电流平方时间积
I
DRM
断态重复峰值电流
I
GT
门极触发电流
I
H
维持电流
I
RRM
反向重复峰值电流
I
TAV
通态平均电流
I
TM
通态峰值电流
I
TSM
通态不重复浪涌电流
r
T
通态斜率电阻
Rjhs
结-散热器热阻
T
HS
散热器温度
T
j
m
最高结温
tgt
开通时间
tq
关断时间
V
DRM
断态重复峰值电压
V
DSM
断态不重复峰值电压
V
GT
门极触发电压
V
RRM
反向重复峰值电压
V
RSM
反向不重复峰值电压
V
TM
通态峰值电压
V
TO
通态门槛电压
outline
外形
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阻容吸收模块
IGBT模块
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